随着超大规模集成电路的发展、集成度的不断提高、线宽的不断减小，对硅片表面的洁净度及表面态的要求越来越高，对也越来越高。要得到高质量的半导体器件，仅仅除去硅片表面的沾污已不再是最终的要求。在清洗过程中造成的表面化学态、氧化膜厚度、表面粗糙度等已成为同样重要的参数。
目前，通常应用的清洗方法是湿式化学清洗法，即利用有机溶剂、碱性溶液、酸性溶液、表面活性剂等化学试剂，配合兆声、超声、加热等物理措施，使有机物、颗粒、金属等沾污脱离硅片表面，然后用大量的去离子水冲洗，获得洁净的硅片表面的清洗方法。
沉积在硅片表面的粒子、金属、有机物、湿气分子和自然氧化膜的一种或几种而形成了硅片表面沾污;因为有机物会遮盖部分硅片表面，使氧化层和与之相关的沾污难以去除。
在湿式清洗工艺中，硅片表面都有一层化学氧化膜，这层氧化膜是主要的沾污源。如果没有这层氧化膜可大大降低金属、有机物等沾污。可用HF清洗或简化常规工艺后最后用HF清洗，可通过降低与周围环境的接触来获得一个理想的钝化表面，减少颗粒吸附在敏感的疏水性表面上。这就对清洗工艺设备提出了多方面的要求。
目前的设备，则是将所有的清洗工艺步骤(清洗和干燥)结合在一个工艺槽中，大大地减少了硅片与空气的接触。将HF作为最后一道清洗液，采用了标准的刻蚀(采用了使用HF/HNO3, KOH, H3PO4, BOE, DHF, SPM, SOM等)，表面也不存在水印，清洗效果非常好。
伴随着硅片的大直径化，器件结构的超微小化、高集成化，对硅片的洁净程度、表面的化学态、微粗糙度、氧化膜厚度等表面状态的要求越来越高。同时，要求用更经济的、给环境带来更少污染的工艺获得更高性能的硅片。
