今天，三星宣布完成采极紫外光(EUV)技术的5nm制程开发。此外，7nm产品将于4月正式出货，目标今年量产6nm产品!

 三星电子称，其5nm FinFET工艺技术的开发已经完成，现在可以为客户提供样品。通过在其基于极紫外（EUV）的工艺产品中添加另一个尖端节点，三星称再次证明了其在先进代工市场的领导地位。

据报导，三星5nm制程较7nm面积缩小25%、耗电减少20%、性能提升10%。此外，5nm制程可使用7nm设计IP，有助7nm制程客户减少5nm制程设计费用。

稍早，台积电领先三星宣布完成5nm制程开发，预计第2季进入试产，台积电与三星谁能抢先量产，成为业界关注焦点，三星全球晶圆代工市占率在2019年第1季已提升到19.1%，不过距离台积电48.1%仍有相当差距。

另外，三星公布了7nm与6nm晶圆代工出货及量产时程。三星表示，2019年初开始量产采EUV制程的7nm产品，预计4月出货。6nm制程部分，正在与大型客户进行生产协议，已完成设计定案，预计2019年下半进入量产。

刚刚，台积电推出6nm技术服务！