下面由为大家普及一下半导体污染物杂质的分类：
半导体制备需要有一些有机物和无机物参与完成，另外，制作过程中总是在人的参与下在超净间进行，这样就不可避免的产生各种环境对硅片污染的情况发生。根据污染物发生的情况，大致可将污染物分为颗粒、有机物、金属污染物及氧化物。
（1）颗粒
颗粒主要是一些聚合物，光致抗蚀剂及蚀刻杂质等。通常的颗粒粘附在硅表面，影响下一工序几何特征的形成及电特性。根据颗粒与表面的粘附情况分析，其粘附力虽然表现出多样化，但主要是范德瓦尔斯吸引力，所以对颗粒的去除方法主要以物理或化学的方面对颗粒进行底切，逐渐减少颗粒与硅表面的接触面积，最终将其去除。
（2）有机物
有机物杂质在IC制程中以多种形式存在，如人的皮肤油脂，净化室的空气、机械油、硅树脂真空脂、光致抗蚀剂、清洗溶剂等。每种污染物对IC的制备过程都有不同程度的影响，通常在晶片表面形成有机薄膜阻止清洗液到达晶片表面，因此有机物的去除常常在清洗工序的第一步进行。
（3）金属污染物
IC电路制造过程中采用金属互连材料将各个独立的器件连接起来，首先采用光刻、蚀刻的方法在绝缘层上制作接触窗口，再利用蒸发、溅射或化学汽相沉积（CVD）形成金属互连膜，如Al-Si、Cu等，通过蚀刻产生互连线，然后对沉积介质层进行化学机械抛光（CMP）。这个过程对IC制程也是一个潜在的污染过程，在形成金属互连的同时，也产生各种金属污染。必须采取相应的措施去除金属污染物。
（4）原生氧化物及化学氧化物
硅原子非常容易在含氧气及水的环境下氧化形成氧化层，称为原生氧化层。硅晶圆经过SC-1和SC-2溶液清洗后，由于双氧水的强氧化力，在晶圆表面上会生成一层化学氧化层。为了确保闸极氧化层的品质，此表面氧化层必须在晶圆清洗过后加以去除。另外，在IC制程中采用化学汽相沉积法（CVD）沉积的氮化硅、二氧化硅等氧化物也要在相应的清洗过程中有选择的去除。
