的原则 一般有哪些？今天小编为您介绍一下半导体硅片清洗的原则：
硅片清洗的一般原则是首先去除表面的有机沾污；然后溶解氧化层（因为氧化层是“沾污陷阱”，也会引入外延缺陷）；最后再去除颗粒、金属沾污，同时使表面钝化。
清洗硅片的清洗溶液必须具备以下两种功能：
（1）去除硅片表面的污染物。溶液应具有高氧化能力，可将金属氧化后溶解于清洗液中，同时可将有机物氧化为CO2和H2O；
（2）防止被除去的污染物再向硅片表面吸附。这就要求硅片表面和颗粒之间的Z电势具有相同的极性，使二者存在相斥的作用。在碱性溶液中，硅片表面和多数的微粒子是以负的Z电势存在，有利于去除颗粒；在酸性溶液中，硅片表面以负的Z 电势存在，而多数的微粒子是以正的Z电势存在，不利于颗粒的去除。
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